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MOS管DS間有寄生二極管，如何測試BVDSS

好多MOS 管工藝 D S 間有反向二極管，在測試BVDSS的時候，如何才能測得實際值呢，舉例件ID=1MA, Vclamp=600V 。請高手指點，不懂的別瞎說
問 提問者：網(wǎng)友 2018-07-22
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不是好多mos有反向二極管，而是大部分都有。測BVdss，不管有沒有二極管，測試都是一樣的。ID=1mA , Vclamp=600V，就是Device GS short，Vd電壓從0-600V 往上加，mos管DS有電壓，就會有漏電流，只是電壓低時，電流太小，pA級，或者測不到，隨著電壓越來越高，漏電流也越來越大，當(dāng)漏電流達(dá)到1mA的時候，DS加的電壓，我們叫BVdss。Clamp=600V，是為了防止有device開路（內(nèi)部斷線或沒有die），電壓會無限往上加，損壞測試系統(tǒng)，所以最高電壓設(shè)定只能加到600V，也就是不管Id有沒有1mA，Vds到600后，就不繼續(xù)往上加了。好的Device大概400V左右。如果產(chǎn)品有問題，漏電流大，自然BVds就達(dá)不到400V（或者設(shè)計時的值）。
回答者：網(wǎng)友
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